OCZ 4GB DDR3 PC1600 DC Kit. Memoria: 4096 MB, DDR3, 1600 MHz, 2 x 2048 MB. Contro de energía: 1.65 V

Kingston 4GB DDR3 240-Pin DIMM Kit, HyperX. Memoria: 4096 MB, DDR3, 2133 MHz, 2 x 2048 MB, 240-pin DIMM, 49.5 ns, 110 ns, 36 ns. Contro de energía: 1.65 V. Condiciones ambientales: 0 - 85 °C

Kingston 4GB DDR3 240-pin DIMM Kit, HyperX. Memoria: 4096 MB, DDR3, 2000 MHz, 2 x 2048 MB, 240-pin DIMM, Oro, 49.5 ns, 110 ns, 36 ns. Contro de energía: 1.65 V. Condiciones ambientales: 0 - 85 °C

OCZ 6GB DDR3 PC1600 TC Kit. Memoria: 6144 MB, DDR3, 1600 MHz, 3 x 2048 MB, 240-pin DIMM. Contro de energía: 1.65 V

Kingston 4GB DDR2-800 CL6 ECC, Especifica para Sistemas. Memoria: 4096 MB, DDR2, 800 MHz. Other features: 579318-001 (HP); VH933AA (HP)

OCZ 4GB DDR3 PC3-10666 DC Kit. Memoria: 4096 MB, DDR3, 1333 MHz, 2 x 2048 MB, 240-pin DIMM, Platino. Contro de energía: 1.65 V

OCZ 4GB DDR3 PC3-10666 DC kit. Memoria: 4096 MB, DDR3, 1333 MHz, 2 x 2048 MB, 240-pin DIMM, Oro. Contro de energía: 1.65 V

OCZ 4GB DDR3 PC3-12800 DC Kit. Memoria: 4096 MB, DDR3, 1333 MHz, 2 x 2048 MB, 240-pin DIMM, Oro. Contro de energía: 1.65 V

Dane-Elec 512MB PC2-4200 DIMM . Memoria: 512 MB, 64 Bit, DIMM, 64Mx8

Corsair CMD4GX3M2B1600C8 DDR3-1600Mhz 4 GB . Memoria: 4096 MB, SDRAM-DDR3, DIMM , 1600 MHz, 8-8-8-24, 2 x 2048 MB. Gerencia de la energía: 1.65 V

Corsair CMX4GX3M2A1600C8 DDR3-1600Mhz 4 GB . Memoria: 4096 MB, DDR3, 1600 MHz, 2 x 2048 MB. Contro de energía: 1.65 V

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 DDR3-1600Mhz 4 GB. Memoria: 4096 MB, DDR3, 1600 MHz, 2 x 2048 MB. Contro de energía: 1.65 V

Transcend 256MB DDR2 Memory 240Pin Long-DIMM DDR2-533 Unbuffer Non-ECC Memory, Transcend. Memoria: 256 MB, DDR2-SDRAM, 533 MHz, 240Pin Long-DIMM, 32Mx16. Contro de energía: 1.8 V

Transcend 512MB DDR2 Memory 200Pin SO-DIMM DDR2-533 Unbuffer Non-ECC Memory, Transcend. Memoria: 512 MB, DDR-SDRAM, 533 MHz, 200Pin SO-DIMM, 64Mx8. Contro de energía: 1.8 V

Point of view Memory DIMM

Kingston 2GB, 1066MHz (PC2-8500), DDR2, CL5 (5-5-5-15), DIMM, (Kit of 2), HyperX. Memoria: 2048 MB, DDR2-SDRAM, DIMM, 1066 MHz, CL5 (5-5-5-15), 2 x 1024 MB. Contro de energía: 2.2 V

Transcend 1GB DDR Memory 200Pin SO-DIMM DDR333 Non-ECC Memory, Transcend. Memoria: 1024 MB, DDR-SDRAM, 333 MHz, 200Pin SO-DIMM, 64Mx8. Contro de energía: 2.5 V

Transcend 1GB DDR Memory 200Pin SO-DIMM DDR400 Non-ECC Memory, Transcend. Memoria: 1024 MB, DDR, 400 MHz. Contro de energía: 2.6 V. Other features: Joybook S53W MEGABOOK M610 Megabook L710

Transcend 1GB DDR2 Memory 200Pin SO-DIMM DDR2-533 Unbuffer Non-ECC Memory, Transcend. Memoria: 1024 MB, DDR2, 533 MHz. Contro de energía: 1.8 V. Other features: WinBook T200 Prius Note type K PN33K4T Toughbook 51 Pentium M CF-51J

Transcend 1GB DDR2 Memory 200Pin SO-DIMM DDR2-667 Unbuffer Non-ECC Memory, Transcend. Memoria: 1024 MB, DDR2, 667 MHz. Contro de energía: 1.8 V. Other features: Samsung Q35 Samsung X11 TravelMate 4200